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中国半导体先进制程速度放缓,落后国外至少2~3代

分享于 2021-05-11 17:12:46
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由于受到美国制裁冲击,中国半导体先进制程发展速度趋缓。据日经采访7 家中国主要半导体设备制造商,大多数厂商表示目前中国大陆主要生产14~28nm芯片,落后国外至少2~3 代。


日经于今年3月在中国国际半导体展上访问多家半导体公司,主要获得7 家公司回覆;大多受访者表示,中国半导体先进芯片制程速度已放缓,也表示美国制裁阻碍他们从国外采购零件和材料,但用国内产品替代又会降低成品良率。

上海微电子(SMEE)工程师表示,“我们的主要光刻机是用于90nm,而28nm和14nm在良率方面仍有改善空间。”这家公司是中国唯一商用光刻机制造商。


虽然光刻机相当难生产,但全球最大制造商艾司摩尔(ASML)预计将推出可用于3nm和2nm芯片制造的光刻机。


精于蚀刻技术的中微半导体设备公司(AMEC)的一位研究人员表示,公司有提供5nm制程所需刻蚀机,但主要还是卖用于14nm和28nm制程的刻蚀机。

另一家负责蚀刻技术的制造商Beijing E-Town,主要生产40nm和28nm制程所需的相关设备。该公司员工指出,由于中国打算增加国产半导体的比例,即使是通用半导体设备,也有强劲需求。


从访谈结果来看,只有中微半导体成功开发用于5nm制程所需的设备,其他公司都在生产14nm或成熟制程所需的设备。此外,芯片荒席卷全球,中国也受到冲击,但美国制裁恐让情况恶化。


上海微电子工程师直言,“当我们无法获得核心部件时,产品开发将遇到问题”;沈阳芯源(Kingsemi)员工指出,过去几年很难从国外引进技术,只能自己寻找解决方案。


半导体零组件、材料和制造设备短缺,进一步影响半导体晶圆代工的表现。根据中芯国际的2020 年第4 季财报来看,14nm和28nm芯片从第三季14.6% 急剧降至5%,主因是受到美国制裁。


美国半导体研究公司IC Insights 预估,中国半导体自给率到2025 年为19.4%;这一比例当中有超过一半以上由中国台湾台积电、韩国三星电子和SK海力士等海外芯片制造商贡献,若自给自足比例仅涉及中国大陆制造商,则预估只有10% 。

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